Siltech - Sphinx Project Two MK1 wersja MK3B Przedwzmacniacz





Dodaj do ulubionych, aby otrzymać powiadomienie o rozpoczęciu aukcji.
Ochrona nabywców Catawiki
Twoja płatność jest u nas bezpieczna, dopóki nie otrzymasz przedmiotu.Zobacz szczegóły
Trustpilot: 4.4 | opinie: 128528
Doskonała ocena na Trustpilot.
Opis od sprzedawcy
W bardzo dobrym stanie.
Przeszedł kompleksowy serwis u dealera.
Ta bardzo piękna przedwzmacniacz klasy A oferuje bardzo ładny obraz dźwięku.
Prawdziwy znawca wie, o co chodzi.
Ta wersja nie ma wejścia phonowego (phono stage)!
The Sphinx Project 2 MK1 to holenderski wysokiej klasy przedwzmacniacz z układem tranzystorowym, wykorzystujący pełny układ FET, pokryte złotem wejścia/wyjścia i wewnętrzne okablowanie Siltech. Posiada szerokie pasmo (>600 kHz), bardzo niski całkowity współczynnik zniekształceń harmonicznych (THD: 0,0015% lub) i stosunek sygnału do szumu (S/N): 100 dB (line) do 106 dB (IHF-A).
Impedancja wejściowa: 5 kΩ (line)
Czułość wejścia: 130 mV
Napięcie wyjściowe: 9,2 V (maks.) lub 10 V
Impedancja wyjściowa: 0,1 Ω
Wzmocnienie: 21 dB
Wymiary (Szer. x Wys. x Gł.): około 480/482 x 68 x 225/328 mm (w źródłach podawane różnice)
Waga: 7 kg do 11 kg
Cechy:
Projekt: pełny układ FET, brak sprzężenia zwrotnego, elementy dyskretne.
Konstrukcja: 16 solenoidów dla ścieżek sygnałowych, wysokiej klasy komponenty.
Okablowanie: wewnętrzne przewody Siltech.
W bardzo dobrym stanie.
Przeszedł kompleksowy serwis u dealera.
Ta bardzo piękna przedwzmacniacz klasy A oferuje bardzo ładny obraz dźwięku.
Prawdziwy znawca wie, o co chodzi.
Ta wersja nie ma wejścia phonowego (phono stage)!
The Sphinx Project 2 MK1 to holenderski wysokiej klasy przedwzmacniacz z układem tranzystorowym, wykorzystujący pełny układ FET, pokryte złotem wejścia/wyjścia i wewnętrzne okablowanie Siltech. Posiada szerokie pasmo (>600 kHz), bardzo niski całkowity współczynnik zniekształceń harmonicznych (THD: 0,0015% lub) i stosunek sygnału do szumu (S/N): 100 dB (line) do 106 dB (IHF-A).
Impedancja wejściowa: 5 kΩ (line)
Czułość wejścia: 130 mV
Napięcie wyjściowe: 9,2 V (maks.) lub 10 V
Impedancja wyjściowa: 0,1 Ω
Wzmocnienie: 21 dB
Wymiary (Szer. x Wys. x Gł.): około 480/482 x 68 x 225/328 mm (w źródłach podawane różnice)
Waga: 7 kg do 11 kg
Cechy:
Projekt: pełny układ FET, brak sprzężenia zwrotnego, elementy dyskretne.
Konstrukcja: 16 solenoidów dla ścieżek sygnałowych, wysokiej klasy komponenty.
Okablowanie: wewnętrzne przewody Siltech.

